
半导体材料的光电应用很大程度上取决于材料的介电函数,介电函数是表征材料折射率,吸收率,电导率,电容等的基本特性。
迄今为止,对半导体材料光学性质的研究大多数都集中在可见光和近红外波段,而在太赫兹(thz)波段对其介电性能的研究则相对很少。随着许多电子和光子器件的工作频率从ghz上升到thz范围,thz波段的介电响应研究变得越来越重要。作为传统光电检测技术的补充措施,太赫兹时域光谱(thz-tds)能够检测半导体在thz波段的介电特性,包括其复折射率和复介电函数。

半导体材料的光电应用很大程度上取决于材料的介电函数,介电函数是表征材料折射率,吸收率,电导率,电容等的基本特性。
迄今为止,对半导体材料光学性质的研究大多数都集中在可见光和近红外波段,而在太赫兹(thz)波段对其介电性能的研究则相对很少。随着许多电子和光子器件的工作频率从ghz上升到thz范围,thz波段的介电响应研究变得越来越重要。作为传统光电检测技术的补充措施,太赫兹时域光谱(thz-tds)能够检测半导体在thz波段的介电特性,包括其复折射率和复介电函数。