回答如下：半导体材料的质量属性包括：
1. 晶体质量：晶体质量是衡量半导体材料质量的重要指标，它包括晶体的纯度、晶格结构、晶面取向等因素。
2. 掺杂浓度：半导体材料的电性质与其掺杂浓度密切相关，掺杂浓度过高或过低都会影响材料的性能。
3. 界面质量：半导体材料在制备过程中的界面质量对其性能有着重要的影响，如晶体缺陷、晶界等因素都会影响材料的电学性质。
4. 缺陷密度：半导体材料中存在的缺陷会影响其电学性质、光学性质等，因此材料中的缺陷密度也是一个重要的质量指标。
5. 光学性质：半导体材料在光电子器件中的应用越来越广泛，因此其光学性质也成为了一个重要的质量指标。
6. 热学性质：半导体材料的热学性质对电子器件的稳定性和可靠性有着重要的影响，因此也是一个重要的质量指标。
半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。
此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。
半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。
非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。
半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。
