在p类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主。
对于硅这种半导体材料,P型掺杂为3价元素,掺杂之后掺杂元素代替原来Si原子的位置,从而使其周围的Si原子多出了一个未成键的电子,半导体内能量较高的电子容易被这个Si原子俘获,而这个电子离开的位置留下一个空位,这就是所谓的空穴。
由此可见,p型掺杂并未引入电荷,而只是造成半导体内部电荷的转移,因此p型半导体是电中性的。
在p类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主。
对于硅这种半导体材料,P型掺杂为3价元素,掺杂之后掺杂元素代替原来Si原子的位置,从而使其周围的Si原子多出了一个未成键的电子,半导体内能量较高的电子容易被这个Si原子俘获,而这个电子离开的位置留下一个空位,这就是所谓的空穴。
由此可见,p型掺杂并未引入电荷,而只是造成半导体内部电荷的转移,因此p型半导体是电中性的。