
难点主要包括以下几个方面:首先,euv光源的稳定性和功率输出是一个重要的挑战,因为euv光源需要产生高能量的极紫外光。
其次,euv光刻机的光学系统需要具备高反射率和低吸收率,以保证光学元件的传输效率和光刻图案的准确性。
此外,euv光刻机的掩模技术也是一个难点,因为euv光的波长很短,掩模的制备和使用需要更高的精度和稳定性。
最后,euv光刻机的材料和工艺也需要不断创新和改进,以满足新一代芯片制造的需求。

难点主要包括以下几个方面:首先,euv光源的稳定性和功率输出是一个重要的挑战,因为euv光源需要产生高能量的极紫外光。
其次,euv光刻机的光学系统需要具备高反射率和低吸收率,以保证光学元件的传输效率和光刻图案的准确性。
此外,euv光刻机的掩模技术也是一个难点,因为euv光的波长很短,掩模的制备和使用需要更高的精度和稳定性。
最后,euv光刻机的材料和工艺也需要不断创新和改进,以满足新一代芯片制造的需求。