所谓的格特森斯坦效应,即高频电磁辐射产生的高频引力波,以这种方式改变飞船附近的引力场,从而产生其推进力。
工艺包括内谐振腔壁、外谐振腔和微波发射器。外谐振腔壁和内谐振腔壁形成谐振腔。微波发射器通过谐振腔产生高频电磁波,使外部谐振腔壁以加速模式振动,并在外部谐振腔壁外产生局部极化真空。
所谓的格特森斯坦效应,即高频电磁辐射产生的高频引力波,以这种方式改变飞船附近的引力场,从而产生其推进力。
工艺包括内谐振腔壁、外谐振腔和微波发射器。外谐振腔壁和内谐振腔壁形成谐振腔。微波发射器通过谐振腔产生高频电磁波,使外部谐振腔壁以加速模式振动,并在外部谐振腔壁外产生局部极化真空。