工艺流程一共五部：
第一步
注入掩膜。首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到刻蚀掩膜上。
第二步
离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入高能离子。之后移除掩膜，进行退火以激活注入离子。
第三步
制作栅极。在晶圆上依次淀积栅氧层、栅电极层形成门级控制结构。
第四步
制作钝化层。淀积一层绝缘特性良好的电介质层，防止电极间击穿。
第五步
制作漏源电极。在钝化层上开孔，并溅射金属形成漏源电极。
当漏源电极和栅源电极之间加正压时，沟道开启，电子从源极流向漏极，产生从漏极流向源极的电流。至此，一个基本的功率器件即元胞就制作完成了。成千上万的元胞组成芯片，再集成到晶圆衬底，就有了像彩虹一样灿烂的晶圆！
