首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。
然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨载台之间存在支撑承载件。承载件可以是凹形或凸形框架。研磨碳面后，取下晶片，脱除承载件，晶片将会在碳面上出现凸形或凹形。
后来，晶片被上下翻转，碳面朝下，放置在一平坦的载台上。最后，将硅面打磨，这是第二次研磨。如此，使用本发明专利技术支撑承载件，可以改善晶片的几何曲率。可以改善晶片的几何曲率。可以改善晶片的几何曲率。
