IRF7343芯片是P+N沟道集成的MOS管,并用光耦器实现主要的电平转换及隔离作用,这样的电路隔离性能好,但同时也具有如下缺点第一,响应速度慢,驱动电路所用的光耦器一般用181系列,响应速度需要几百微秒,这种器件延时影响整个编织提速,限定了横机性能。
IR出品的功率MOSFET对管,一个芯片内封装了一个N沟道和一个P沟道MOSFET。
IRF7343芯片是P+N沟道集成的MOS管,并用光耦器实现主要的电平转换及隔离作用,这样的电路隔离性能好,但同时也具有如下缺点第一,响应速度慢,驱动电路所用的光耦器一般用181系列,响应速度需要几百微秒,这种器件延时影响整个编织提速,限定了横机性能。
IR出品的功率MOSFET对管,一个芯片内封装了一个N沟道和一个P沟道MOSFET。