n-MOS的开启电压通常被称为Vth（threshold voltage），在绝缘体中，当控制栅极电压超过开启电压的时候，电流开始在沟道中流动。Vth的大小取决于器件的制造工艺和结构，一般在0.2V到1.5V之间。
p-MOS的开启电压也被称为Vth，不过与n-MOS相比，p-MOS的开启电压通常是负数，因为电子通常会在正电压下流动，而空穴（holes）则在负电压下流动。p-MOS的开启电压一般在-0.2V到-1.5V之间。
N-MOS（N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和P-MOS（P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的开启电压是不同的。
对于N-MOS，当栅极电压高于阈值电压（Vth）时，晶体管开启。阈值电压通常由晶体管的制造商指定，一般约为0.5-1.5V。
对于P-MOS，当栅极电压低于阈值电压（Vth）时，晶体管开启。P-MOS的阈值电压一般比N-MOS的阈值电压更负，通常在-0.5到-1.5V之间。
需要注意的是，开启电压还受到其他因素的影响，比如温度和晶体管的特定设计。因此，确切的开启电压可能会有所变化。这些数值仅为参考值。
