10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A,耐压值为600,这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大,一般都在3~5V,而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管,其开启电压低的仅有1V,大部分都在3V以下。一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。
通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍,而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6),大约为6400倍!
10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A,耐压值为600,这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大,一般都在3~5V,而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管,其开启电压低的仅有1V,大部分都在3V以下。一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。
通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍,而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6),大约为6400倍!