MOSFET的耐压范围取决于具体型号和制造工艺。一般而言,MOSFET的耐压范围可以从几伏特到数千伏特不等。 在选用MOSFET时,需要根据具体应用场景来选择合适的耐压范围。一般来说,耐压范围越高,MOSFET的价格也会越高。同时,为了保证系统的可靠性,也需要考虑电路中其他器件的耐压范围。
DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V