有区别。区别是：EEPROM和FLASH都是常见的非易失性存储器，用于存储设备的程序和数据。它们的主要区别在于存储方式和擦写速度。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可以被电子擦写程序和数据，因此它的擦写速度比较慢，但具有较高的数据可靠性和稳定性。
FLASH（Floating Gate Avalanche Injection MOS）则采用了闪存技术，可以快速擦写和读取数据，但相对而言数据可靠性可能较低。此外，EEPROM适用于小容量存储和频繁读写操作，而FLASH适用于大容量存储和较少写操作的场景。
1、擦写方式不同 FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。 EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。
2、使用情况不同 对单片机来说，关键性的数据，如传感器的标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储，而像文件等大容量的数据记录，或者经常读但很少写的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。 除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。
3、擦写次数不同 eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制。 如果要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。
