
是的,sic是直接带隙半导体。
sic是宽带隙半导体。
带隙:导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体,例如GaN、SiN和ZnO,小于3ev的就是窄带隙。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。

是的,sic是直接带隙半导体。
sic是宽带隙半导体。
带隙:导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体,例如GaN、SiN和ZnO,小于3ev的就是窄带隙。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。