三极管反向导通的条件是在正向低电压作用区域，隧道电流I很小，因此，实际上它和普通二极管的正向特性相似，但在反向电压作用下，它的电流迅速增加，而且它的温度特性十分稳定。即在较小偏压下，反向电流比正向电流大得多，曲线形状好似倒置的普通结二极管特性曲线，故称为反向二极管，反向二极管主要用于小信号检波，微波检波与混频。
由于它在中反向二极管伏安特性零偏压附近电流—电压曲线有较大的曲率，则有比点接触二极管更优越的小信号检波和混频性能。
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。集电结加反向电压,就是在集电结的PN结上加反压Ube才能把基区的电荷吸引过来。
使三极管处于饱和导通状态，需要满足的条件是从电压上描述是：三极管发射结正向偏置，集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例，当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化。
基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
