在于其生长方式和用途的不同。
首先，碳化硅衬底是通过化学气相沉积法生长出来的，而外延片则是在衬底上通过外延生长技术制备而成的。
因此，二者的生长方式不同。
其次，碳化硅衬底主要用于制作功率器件和高温器件，而外延片则是用于制作光电器件和电子器件。
所以二者的用途也不同。
综上所述，碳化硅衬底和外延片虽然都是由碳化硅制成，但其生长方式和用途的不同使它们有着明显的区别。
在于，碳化硅衬底是用于制造电子元件和光电子器件的基底，而外延片则是在衬底上生长其它半导体材料的薄片。
具体来说，碳化硅衬底的电学性能、热学性能和机械性能都比较优秀，可以提高器件的性能并延长使用寿命；而外延片则可以通过控制其生长条件，来调节其电学和光学性能，从而制备各种半导体器件。
因此，虽然两者都是半导体材料的重要组成部分，但其应用方式和性能表现上有明显的差异。
