内存卡是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，晶体管中加入了浮动栅和控制栅。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。
当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，NAND单晶体管的存储状态就由1变成0，而当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。
储存卡（Memory Card）一般是指闪存卡，它的储存数据原理是基于固态电子存储技术，即通过电荷的存储和释放实现数据的保存和读取。闪存储存单元是Flash Memory，它由单个或多个晶体管构成，每个晶体管的栅极和源极之间形成的电容器被用来存储一个比特（0或1）。
储存卡数据的读写操作是通过在晶体管的栅极和源极之间施加电场来控制电荷的移动实现的。在写入数据时，需要施加高电压来激发擦除穿隧效应，将电荷注入电容器中。在读取数据时，则通过对栅极和源极间的电流进行测量来判断电容器中的电荷数目，进而确定数据。
由于闪存卡采用的是电子存储方式，所以具有体积小、重量轻、耗电量低等特点，适用于各种小型便携设备的存储需求。
