在电场力作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此认为空穴也是载流子，是带正电的粒子。
在半导体外加电压的作用下，出现两部分电流:自由电子定向移动、空穴的迁移。
本征半导体中由于电子-空穴数量极少，导电能力极低。实用时采用杂质半导体（P型、N型）。
本征半导体的导电能力很低，因为他们只含有很少的热运动产生的载流子。某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目，所以掺杂质的半导体导电能力好。例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体。假设硅晶体中已掺入少量的磷。磷原子进入了原本该由硅原子占有的晶体结构中的位置。磷，作为第5组元素，由5个价电子。磷原子共享了4个价电子给它周围的4个硅原子。4对电子对给了磷原子8个共享的电子。加上还有1个未共享的电子，一共由9个价电子。由于原子价层只能容纳8个电子，再也放不下第9个电子。
这个电子就被磷原子抛了出来，自由地游荡在晶体结构中。
每个添加进硅晶体结构中的磷原子能产生一个自由电子。故杂质能增加载流子的数目，使其导电能力加强。
