区别如下：
1. 工艺不同：4纳米工艺相比7纳米工艺在相同功率下的晶体场效应晶体管（FSMT）电流泄漏增加，电流传导减少。这意味着电池消耗的功率更小，设备运行更稳定。7纳米工艺比4纳米工艺更先进。
2. 性能不同：4纳米工艺相比7纳米工艺在电池消耗功率更小，设备运行更稳定。7纳米工艺比4纳米工艺更先进。在性能方面，4nm芯片的性能要比7nm芯片的差。因为4nm芯片在制程上比7nm芯片要更费力，并且其晶体场效应晶体管（FSMT）电流泄漏增加，电流传导减少，性能和功耗上都比7nm芯片更差。
总之，4纳米和7纳米芯片区别主要体现在工艺和性能上。7纳米工艺相比4纳米工艺更先进，性能也更好。
4纳米和7纳米芯片的区别在于晶体管的大小。7纳米的芯片可容纳更多晶体管，计算能力更强。在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积相同大小的情况下，7纳米工艺的芯片容纳的晶体管的数量，几乎是14纳米工艺芯片的2倍 。
