
特性:内置GPP、扁桥
电性参数:3A 1000V
芯片材质:光阻GPP
正向电流(Io):3A
芯片个数:4
正向电压(VF):1.1V
芯片尺寸:60MIL
浪涌电流Ifsm:80A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:4
耐压:1000V,电流:3A。

特性:内置GPP、扁桥
电性参数:3A 1000V
芯片材质:光阻GPP
正向电流(Io):3A
芯片个数:4
正向电压(VF):1.1V
芯片尺寸:60MIL
浪涌电流Ifsm:80A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:4
耐压:1000V,电流:3A。