
1 双向可控硅可以通过测量其导通状态和反向击穿电压来确定其好坏。
2 双向可控硅的导通状态可以通过检查其控制极和正向电极的电压来确定。
如果控制极的电压为高电平,正向电极的电压也高于其额定导通电压,则双向可控硅处于导通状态。
反向击穿电压是指当反向电压超过一定值时,双向可控硅会失去控制并发生击穿。
因此,测量双向可控硅的反向击穿电压也是确定其好坏的一种方法。
3 当测量双向可控硅的状态时,需要注意注意安全问题,确保正确使用测量仪器,以保证测量的准确性。

1 双向可控硅可以通过测量其导通状态和反向击穿电压来确定其好坏。
2 双向可控硅的导通状态可以通过检查其控制极和正向电极的电压来确定。
如果控制极的电压为高电平,正向电极的电压也高于其额定导通电压,则双向可控硅处于导通状态。
反向击穿电压是指当反向电压超过一定值时,双向可控硅会失去控制并发生击穿。
因此,测量双向可控硅的反向击穿电压也是确定其好坏的一种方法。
3 当测量双向可控硅的状态时,需要注意注意安全问题,确保正确使用测量仪器,以保证测量的准确性。