3D V-NAND这是作为闪存芯片(NAND)制造的新技术,3D V-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了改进。
在之前的闪存芯片中,采用的都是2D平面设计的存储单元(Cell)技术。
使用3D V-NAND技术之后,则将闪存芯片中的晶体管竖了起来,然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这这些晶体管,这样就形成了一个“站立”起来的同轴结构体。
将这些同轴结构体一层层向上堆叠,形成多层结构,就构成了3D V-NAND的基本形态。
3D V-NAND这是作为闪存芯片(NAND)制造的新技术,3D V-NAND主要从结构方面对闪存芯片进行了改进。
在之前的闪存芯片中,采用的都是2D平面设计的存储单元(Cell)技术。
使用3D V-NAND技术之后,则将闪存芯片中的晶体管竖了起来,然后用绝缘体和控制栅极环绕包围这这些晶体管,这样就形成了一个“站立”起来的同轴结构体。
将这些同轴结构体一层层向上堆叠,形成多层结构,就构成了3D V-NAND的基本形态。