
目前,芯片制造技术已经接近物理极限。虽然有一些研究机构和公司正在努力开发1纳米级别的芯片技术,但要突破1纳米仍然面临巨大的挑战。
在这个尺度下,量子效应和热效应将变得更加显著,导致电子行为的不稳定性和能耗的增加。此外,制造过程的复杂性和成本也将大幅增加。因此,要实现1纳米芯片仍然需要克服许多技术难题,并且可能需要更多的时间和研究投入。
芯片制程一般极限是3nm,这时已经会出现横向电流溢出,不能保证电流完全向一个方向了。

目前,芯片制造技术已经接近物理极限。虽然有一些研究机构和公司正在努力开发1纳米级别的芯片技术,但要突破1纳米仍然面临巨大的挑战。
在这个尺度下,量子效应和热效应将变得更加显著,导致电子行为的不稳定性和能耗的增加。此外,制造过程的复杂性和成本也将大幅增加。因此,要实现1纳米芯片仍然需要克服许多技术难题,并且可能需要更多的时间和研究投入。
芯片制程一般极限是3nm,这时已经会出现横向电流溢出,不能保证电流完全向一个方向了。