CH为复合膜电容。CH21 型金属化复合膜介质电容器采用金属化复合膜卷绕而成,树脂浸涂包封,单向引出,具有电容量稳定、温度系数小的特点,适用于精密仪器仪表、逻辑控制电路、积分电路等场合CH11型箔式复合薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻高、由度系数小、耐湿性及耐溶剂性均优良等特点,适用于各类电子设备、电子仪器和仪表电路。
CH是三星贴片电容 ,材质CH=NPO。
CH为复合膜电容。CH21 型金属化复合膜介质电容器采用金属化复合膜卷绕而成,树脂浸涂包封,单向引出,具有电容量稳定、温度系数小的特点,适用于精密仪器仪表、逻辑控制电路、积分电路等场合CH11型箔式复合薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻高、由度系数小、耐湿性及耐溶剂性均优良等特点,适用于各类电子设备、电子仪器和仪表电路。
CH是三星贴片电容 ,材质CH=NPO。