
1nm制程需要用到forksheet,CFET晶体管架构,这些架构对局部互连提出了新的要求,相应地,后道工序需要采用新型材料,如钌(Ru)、钼(Mo)和金属合金,还需要降低中间工序的接触电阻。
对于后道工序而言,金属线和通孔的电阻和电容仍然是最关键的参数。解决这个问题的一种方法是采用另一种金属化结构,称为“零通孔混合高度”。这种方案可以根据金属线的应用需求,灵活地将电阻换成电容。

1nm制程需要用到forksheet,CFET晶体管架构,这些架构对局部互连提出了新的要求,相应地,后道工序需要采用新型材料,如钌(Ru)、钼(Mo)和金属合金,还需要降低中间工序的接触电阻。
对于后道工序而言,金属线和通孔的电阻和电容仍然是最关键的参数。解决这个问题的一种方法是采用另一种金属化结构,称为“零通孔混合高度”。这种方案可以根据金属线的应用需求,灵活地将电阻换成电容。