MOS 管导通电阻一般在几毫 欧,几十毫欧左右 。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可。mos管驱动电阻一般用什么样的电阻
MOS 管导通电阻一般在几毫 欧,几十毫欧左右 。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可。mos管驱动电阻一般用什么样的电阻