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MOS管的源极和漏极有什么区别(mos管源极跟漏极分别接什么)

MOS管的源极和漏极有什么区别(mos管源极跟漏极分别接什么)

更新时间:2024-12-14 07:19:26

MOS管的源极和漏极有什么区别

一、指代不同

1、源极 简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电 与双极型相反 也称为单极型晶体管。

2、漏极 利用外部电路的驱动能力 减少IC内部的驱动  或驱动比芯片电源电压高的负载。  

二、原理不同

1、源极 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区 用P 表示 就形成两个不对称的P N结。把两个P 区并联在一起 引出一个电极 称为栅极 g 在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极 将两个P区的引出线连在一起作为一个电极 称为栅极 在N型硅片两端各引出一个电极。

三、特点不同

1、源极 属于电压控制型半导体器件 具有输入电阻高 108 109Ω 、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点

2、漏极 可以将多个开漏输出的Pin 连接到一条线上。通过一只上拉电阻 在不增加任何器件的情况下 形成“与逻辑”关系。这也是I2C SMBus等总线判断总线占用状态的原理。  

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