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12n60与8n60场效应管参数(20N60场效应管参数)

12n60与8n60场效应管参数(20N60场效应管参数)

更新时间:2024-12-16 08:30:47

12n60与8n60场效应管参数

12n60和8n60是两个款式名称,在市场上找不到相关资料。一般而言,场效应管的参数包括击穿电压、最大漏源电压、最大漏源电流、漏源电流与栅源电压关系、漏源电流与栅源电压、传导电阻等。若能提供更详细的参数信息,才能进行具体的解答。

12N60H产品特征

  RDS(on)=0.53@VGS=10V

   低栅电荷(典型的52nC)  快速交换能力 雪崩能量指定值   改进的dv/dt能力。 

8n60基本参数:1、晶体管极性:N2、漏极电流, Id最大值:7。5A3、电压, Vds最大:600V4、开态电阻, Rds(on):1。2ohm5、电压@ Rds测量:10V6、电压, Vgs最高:30V7、功耗:48W8、工作温度范围:-55°C to +150°C9、封装:TO-220F。

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