浅能级杂质,由于它的电离能很小,在常温下就全部电离,所以在半导体中可利用杂质电离提供电子n型制成半导体或空穴制成p型半导体;而深能级杂质有三个基本特点:
一是不容易电离(对其价电子的束缚比较紧,电离能大),对载流子浓度影响不大。
二是一般会产生多重能级,甚至既产生施主能级也产生受主能级。三是能起到复合中心作用(深能级一般在禁带中央附近,但是若深能级在费米能级附近则表现为陷阱效应),使少数载流子寿命降低。
浅能级杂质,由于它的电离能很小,在常温下就全部电离,所以在半导体中可利用杂质电离提供电子n型制成半导体或空穴制成p型半导体;而深能级杂质有三个基本特点:
一是不容易电离(对其价电子的束缚比较紧,电离能大),对载流子浓度影响不大。
二是一般会产生多重能级,甚至既产生施主能级也产生受主能级。三是能起到复合中心作用(深能级一般在禁带中央附近,但是若深能级在费米能级附近则表现为陷阱效应),使少数载流子寿命降低。