优点:基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异,计算简单 缺点:只有电子轨道半径较大时,该模型才较适用,如Ge.相反,对电子轨道半径较小的,如Si,简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。
参考:叶良修《半导体物理学》