CPU的制造过程包括以下步骤：
切割晶圆：用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核（Die）。
影印（Photolithography）：在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻（Photoresist）物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。
蚀刻（Etching）：用溶剂将被紫外线照射过的光阻物清除，然后再采用化学处理方式，把没有覆盖光阻物质部分的硅氧化物层蚀刻掉。
分层：为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。
离子注入（Ion Implantation）：通过离子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，形成门电路。
溶解光刻胶、蚀刻、清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入了不同的原子。
晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（品红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。
铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。
抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。
完成以上步骤后，CPU就制造完成了。请注意，不同公司或不同技术可能会有些许差异，但大体流程相同。另外，这只是CPU制造的基本步骤，实际上每一步都包含了许多子步骤和细节处理。
