RGBT晶体管（Resistor-Gate Bipolar Transistor）是一种双极晶体管，其优点包括高电流放大能力、低噪声、高速度和高温度稳定性。然而，RGBT晶体管的缺点是功耗较高、体积较大、制造成本较高，并且需要外部电阻来控制基极电流。
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种三极管，其优点包括低功耗、高输入阻抗、体积小、制造成本低，并且不需要外部电阻来控制电流。然而，FET的缺点是电流放大能力较弱、噪声较高、温度稳定性较差，并且对静电放电敏感。
综上所述，RGBT晶体管适用于高功率和高频率应用，而场效应晶体管适用于低功率和低噪声应用。选择哪种晶体管取决于具体的应用需求。
IGBT全称是：绝缘栅双极型场效应晶体管，它是一种场效应管。它具有驱动简单，输入阻抗高，速度快等特点。与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）。
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好。
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。
（5）场效应管的抗辐射能力强。
